Samsung được cho là đã vượt qua một số trở ngại khó khăn khi đi vào sản xuất hàng loạt bộ nhớ DRAM DDR4 bằng công nghệ lớp 10nm như việc sử dụng ArF (argon fluoride) trong việc in khắc , cải tiến công nghệ thiết kế ô nhớ riêng của họ , công nghệ in khắc QPT ((quadruple patterning technology) và lắng đọng lớp điện môi siêu mỏng .

Samsung giải thích , DRAM phức tạp hơn nhiều so với bộ nhớ Flash NAND vì mỗi ô nhớ phải dùng tụ điện để kết nối với một bóng bán dẫn (thường thì tụ điện đặt phía trên bóng bán dẫn) . Với bộ nhớ Flash NAND mỗi ô nhớ chỉ chứa một bóng bán dẫn .

Samsung cho biết DRAM mới đạt tốc độ lên tới 3200 Mbps , nhanh hơn 30% so với những bộ nhớ 20nm . Thêm vào đó DRAM 10nm sử dụng Wafer hiệu quả hơn 30% so với DDR4 8GB 20nm .

Số liệu trên cho thấy công nghệ sản xuất bộ nhớ phát triển nhanh tới mức như thế nào . Samsung chỉ bắt đầu đi vào sản xuất hàng loạt bộ nhớ DRAM DDR3 20nm vào năm 2014 .

Samsung khẳng định sẽ sớm phát hành những bộ nhớ mobile lớp 10nm trong thời gian sớm nhất .

Có điều chúng ta cần làm ró đó là công nghệ sản xuất lớp 10nm có nghĩa là sản xuất bằng công nghệ xử lí giữa 10nm tới 19nm ; lớp 20nm có nghĩa là công nghệ xử lí sản xuất từ 20nm tới 29nm .