Samsung mới đưa ra thông báo đi vào sản xuất đại trà công nghệ xử lí sản xuất 10nm FinFET thế hệ thứ hai , chuyển từ 10 nm LPE (Low Power Early) sang 10nm LPP (Low Power Plus) .
Samsung cho biết 10nm LPP sẽ có hiệu suất làm việc cao hơn 10% hoặc có mức độ tiêu hao điện năng giảm 15% so với công nghệ 10nm LPE . Thêm vào đó công nghệ 10nm FinFET thế hệ thứ 2 cũng giảm thời gian từ khi phát triển cho tới lúc sản xuất đại trà và có sản lượng cao hơn đáng kể .
Samsung nói rằng sẽ tiếp tục cải tiến công nghệ 10nm để chuyển sang quy trình 8nm LPP và thông báo về nhà máy mới S3 tại Hwaseong Korea đã sẵn sàng công nghệ những sản phẩm 10nm và chuẩn bị cho việc sản xuất công nghệ 7nm FinFET EUV (Extreme Ultra Violet) .