Samsung đang hy vọng thay đổi điều đó bằng việc bắt đầu đi vào sản xuất hàng loạt module bộ nhớ Flash mới loại 3-bit MLC 3D Vertical NAND (V-NAND) , hoặc gọi tắt là 3-bit V-NAND .

Bộ nhớ Flash truyền thống có các ô nhớ được sắp xếp theo chiều ngang nằm cạnh nhau , còn bộ nhớ 3-bit V-NAND dùng 32 lớp ô nhớ xếp thẳng đứng trong mỗi chip nhớ NAND . So với Flash NAND 3-bit “phẳng” , 3-bit V-NAND mới giảm số lượng Wafer sử dụng gấp đôi điều đó cho phép chi phí sản xuất giảm đi .

Việc Samsung mở rộng dữ liệu 3 hướng nên họ không cần dùng công nghệ sản xuất nhỏ hơn và nhờ xếp lớp mà mật độ lưu trữ dữ liệu cao hơn . Việc dùng công nghệ sản xuất nhỏ hơn sẽ khiến cho độ tin cậy của bộ nhớ Flash thấp hơn .