Samsung khẳng định về vấn đề Flash 32nm và đang chế tạo điều khiển SSD mới

Tuần trước chúng tôi có đề cập tới việc những Chip Flash NAND 32nm mới của Samsung dùng trong SSD có hiệu suất Ghi thấp và Samsung đã khẳng định có vấn đề như vậy

Tuần trước chúng tôi có đề cập tới việc những Chip Flash NAND 32nm mới của Samsung dùng trong SSD có hiệu suất Ghi thấp và Samsung đã khẳng định có vấn đề như vậy họ cho biết “ cần phải nâng cấp Mạch điều khiển SSD để làm việc phù hợp với những Chip Flash 32nm . Những mạch điều khiển hiện tại không làm việc tốt với nên việc hiệu suất làm việc giảm đi là điều hoàn toàn có khả năng xảy ra “.

Thông tin lưu trữ trong bộ nhớ Flash trong những mảng của những ô nhớ được tạo nên từ những Transistor Floating-Gate . Những Transistor được chế tạo từ quy trình sản xuất nhỏ hơn sẽ làm cho những điện tử đi qua khó hơn . Trong một số trường hợp lỗi trong quá trình Ghi và ô nhớ sẽ được ECC (Error Correcting Code) điều chỉnh cho chính xác . Thông thường ECC được mạch điều khiển Flash xử lí . Nó có thể bị quá tải vì việc Ghi lỗi nhiều quá nên khiến cho hiệu suất làm việc bị chậm .

Intel cũng đã gặp phải vấn đề tương tự với bộ nhớ Flash 34nm và đã mất 06 tháng sau mới có thể đi vào sản xuất hàng loạt .

Samsung cho biết họ sẽ mất vài tháng để phát triển , sửa chữa trong mạch điều khiển và công nghệ Firmware cho những SSD dựa trên Chip Flash 32nm mới .

$\"\"$