Ngay lập tức Samsung đã thông báo bắt đầu đi vào sản xuất hàng loạt từ ngay hôm nay .

Samsung cho biết những khuôn 4GB này được sản xuất bằng công nghệ 20nm bao gồm 4 khuôn 8Gb được xếp lại với nhau phía trên . Theo tính năng kỹ thuật JEDEC đưa ra mỗi khuôn HBM2 có băng thông 256GB/s , gấp gần . 7 lần so với băng thông của khuôn TSV (through-silicon via) 4Gb GDDR5 .

Chip HBM2 có tỉ lệ băng thông /W cao gấp 2 lần so với những giải pháp của GDDR5 của Samsung và hỗ trợ ECC .

Samsung có kế hoạch phát hành bộ nhớ HBM2 8GB trong năm nay sẽ cho phép những nhà thiết kế Card màn hình tiết kiệm tới 95% không gian so với GDDR5 .