Chip này được chế tạo với sự cộng tác của Samsung dùng công nghệ 10nm FinFET mới , hứa hẹn có hiệu suất làm việc cao và  dùng điện năng hiệu quả hơn so với Snapdragon 820 và 821 đang được sản xuất bằng công nghệ 14nm FinFET . Dự kiến Snapdragon 835 có mặt trong những thiết bị vào nửa đầu năm sau .

Thiết kế mới của Snapdragon 835 hứa hẹn có hiệu suất làm việc tăng 25% và dùng ít hơn 40% điện năng so với thế hệ trước nên sẽ dùng pin được lâu hơn . Snapdragon 835 cho phép điện thoại nạp điện nhanh hơn nhờ trang bị công nghệ Quick Charge 4 có thời gian nạp nhanh hơn 20% và cho phép thời gian làm việc của điện thoại lên tới 5 giờ chỉ sau 5 phút nạp điện .

Qualcomm cho biết số liệu trên đã được họ thử nghiệm nội bộ với pin 2750mAh .

Qualcomm không đề cập tới những thiết bị nào sẽ dùng Snapdragon 835 nhưng có những ứng cử viên như Galaxy S8 . Snapdragon 820 và 821 đã được dùng trong các thiết bị cao cấp như Samsung Galaxy S7 , LG G5 , HTC 10 và Lenovo Phab 2 Pro .