Intel và Micron mới đưa ra thông báo bắt đầu sản xuất và giao hàng chip nhớ Flash NAND QLC (Quad-Level-Cell) .
Intel và Micron mới đưa ra thông báo bắt đầu sản xuất và giao hàng chip nhớ Flash NAND QLC (Quad-Level-Cell) . Với cấu trúc 3D 64-lớp nên mỗi khuôn ( die ) đạt tới dung lượng lưu trữ 125GB và liên doanh này còn cho biết 3D NAND 96-lớp đang trong giai đoạn phát triển để cho mật độ lưu trữ cao hơn nữa .
Hầu hết những chip nhớ Flash NAND 3D hiện nay đều dùng loại TLC (Triple-Level-Cell) và kỹ thuật chế tạo 3D , do đó giải pháp lưu trữ QLC sẽ cho phép tăng mật độ lưu trữ trong cùng diện tích . Tuy nhiên việc tăng số lượng Bit lưu trữ trong mỗi ô nhớ lại làm giản hiệu suất Ghi , làm tăng độ phức tạp của việc lập trình trong những ô nhớ và làm giảm độ bền .
Intel cho biết để giảm những nhược điểm trên họ đã sử dụng công nghệ CuA (CMOS inderr the array) . CuA cho phép tổ chức NAND QLC với số lượng mặt phẳng lớn hơn , lên tới 4 so với chỉ có 2 và do có số lượng mặt phẳng lớn hơn nên khả năng Ghi song song của NAND được nhiều hơn .
Intel nói rằng những sản phẩm đầu tiên của mình dùng chip nhớ NAND QLC sẽ được mang tới trong năm nay trong Hội nghị Flash Memory Summit tổ chức 6-9 tháng Tám ở Santa Clara .
Trong khi đó Micron đã giới thiệu SSD SATA dùng cho doanh nghiệp có tên gọi 5210 Ion 2.5-inch sử dụng chip nhớ Flash NAND QLC . 5210 Ion có dung lượng lưu trữ từ 1.92TB tới 7.68TB .
Micron cũng cung cấp những
thử nghiệm mẫu cho thấy SSD 5210 Ion có tốc độ nhanh gấp 2.2 và tới 3.9 lần so với những ổ cứng SAS 10.000 RPM .