Trong một nghiên cứu mới của trường Đại học Stanford cho thấy bộ nhớ PCM có rất nhiều hứa hẹn .

PCM làm việc bằng cách dịch chuyển giữa hai trạng thái vật lí : kết tinh ( với mức trở kháng thấp ) và vô định hình ( với trở kháng cao ) . Nó có nhiều ưu điểm so với công nghệ lưu trữ đang được dùng hiện nay nhưng nó lại chưa hoàn hảo .

Theo Extreme Tech , một trong những thiếu sót của bộ nhớ chính là thời gian trễ . Tốc độ bộ nhớ ngày càng tăng trong 30 năm trở lại đây nhưng thời gian trễ không được cải thiện nhiều .

Aaron Lindenberg , là giáo sư của Khoa học vật liệu và Kỹ thuật tại Stanford và cũng là người đứng đầu nhóm nghiên cứu , cho biết bộ nhớ PCM nhanh tới mức như thế nào khi bắt đầu thay đổi từ trạng thái này sang trạng thái khác và quan trọng hơn nếu như khai thác được tốc độ này .

Bằng việc cung cấp xung điện 0.5THz tới PCM trong vài pico giây để tạo ra những sợi kết tinh và theo lí thuyết có thể được dùng để lưu trữ dữ liệu . Trong bộ nhớ DRAM để làm được việc đó phải mất một số nano giây . Như vậy xét về lí thuyết bộ nhớ PCM có thể nhanh gấp 1000 lần so với RAM truyền thống đang được dùng ngày nay .

Mặc dù vậy vẫn có nhiều rào cản cần phải vượt qua như những xung THz không  làm việc tốt với những sợi dây Đồng nhỏ đang được sử dụng trong phần cứng hiện nay .

Thêm vào đó ngành công nghiệp bộ nhớ cũng rất khó khăn và những nhà sản xuất phải biết chắc chắn công nghệ mới sẽ có ích lâu dài về sau trước khi chuyển khỏi những công nghệ đã được chứng mình từ lâu sang một công nghệ hoàn toàn mới .

Intel hiện đang phát triển SSD dòng Optane dựa trên công nghệ 3D Xpoint mới cũng có một phần dựa trên nguyên lí của PCM . Theo lộ trình của Intel cách đây 2 tháng trước cho thấy những SSD Optane sẽ tới vào cuối năm nay hoặc có thể vào đầu năm sau cùng với việc phát hành những bộ vi xử lí  Kaby Lake .