Rowhammer ảnh hưởng tới cả bộ nhớ Flash MLC NAND

Hai năm sau khi Google công bố cuộc tấn công Rowhammer có thể làm thay đổi trạng thái trong những Bit của bộ nhớ RAM
Hai năm sau khi Google công bố cuộc tấn công Rowhammer có thể làm thay đổi trạng thái trong những Bit của bộ nhớ RAM và bây giờ IBM đã chứng mình điều tương tự cũng có trong bộ nhớ Flash MLC NAND .
Tuần trước tại hội nghị Woot ’17 USENIX diễn ra ở Vancouver, những nhà nghiên cứu của IBM đã trình diễn cuộc tấn công demo mức hệ thống  file của cuộc tấn công nhằm vào bộ nhớ Flash MLC NAND . Họ làm cho lỗi một khối bộ nhớ để đạt được đặc quyền tùy biến .
Cuộc tấn công Rowhammer là tấn công cục bộ và nhắm vào chỗ yếu nhất của bộ nhớ Flash can thiệp tới từng ô nhớ . Tuy nhiên để có thể can thiệp được cần phải lập trình lại điện áp cung cấp để có thể làm thay đổi tới những ô nhớ trong mảng bộ nhớ .