Bộ nhớ Cache chiếm một phần nhỏ được nhúng bên trong “khuôn” CPU , tại đây những Bit thông tin được truy cập nhanh hơn . Điều đó có nghĩa là CPU không cần phải ra tới bộ nhớ bên ngoài chậm hơn để lấy dữ liệu cần thiết cho mình .

Thông thường bộ nhớ Cache có mức đầu tiên (L1) có dung lượng nhỏ nhưng nhanh , mức thứ hai (L2) có dung lượng lớn hơn và nhanh vừa phải , mức thứ 3 (L3) có dung lượng lớn hơn nữa không nhanh như hai mức kia , tất cả đều được làm bằng công nghệ SRAM .

SRAM là bộ nhớ sẽ bị mất dữ liệu khi tắt nguồn . Dữ liệu được lưu trữ tại những ô nhớ được nạp điện .

Nhưng Toshiba giới thiệu kiểu bộ nhớ Cache mới có tên gọi MRAM hoặc cũng còn được gọi là STT-MRAM ( spin-transfer torque magnetoresistive random access memory) .

Bản chất là những thành phần lưu trữ từ tính được dùng để lưu trữ những Bit dữ liệu . Trước kia cũng đã có những nỗ lực để làm MRAM nhưng nó không đủ nhanh . Để giải quyết việc này Toshiba đã chế tạo cấu trúc mạch điện  mới tương tự như một số bộ phận DRAM và SRAM nhưng không bị dò rỉ điện  năng .

Kết quả là bộ nhớ L2 làm bằng MRAM giảm điện năng tiêu hao tới 80% và mở rộng ra có nghĩa là điện  năng CPU sử dụng sẽ giảm tới 60% . Điều này rất thích hợp cho những chip APU của AMD dùng Cache L2 mà không có Cache L3 không như những chip mới của Intel .

Theo Toshiba thời gian Đọc / Ghi của MRAM tương ứng là 4.1ns và 2.1ns rất gần với chuẩn SRAM .

Nếu MRAM của Toshiba được dùng chế tạo bộ vi xử lí  trong thiết bị mobile sẽ cho phép kéo dài thời gian sử dụng Pin .