Bộ nhớ MRAM (magnetoresistive random access memory) đang từ từ đi vào những sản phẩm với ưu thế có độ tin cậy cao , bộ nhớ non-volatile nhanh không  bị mất dữ liệu khi nguồn bị lỗi .

MRAM đã được phát triển hàng thập kỉ , năm  ngoái Toshiba và Hynix đã phát triển thành công kiểu bộ nhớ mới để thay thế bộ nhớ DRAM và NÀN Flash . MRAM hoạt động như chuẩn bộ nhớ nhưng dùng từ tính để lưu trữ dữ liệu thay vì lưu trữ bằng cách nạp điện vào tụ điện của DRAM . Nhưng những nhà phân tích nói rằng do hạn chế về chi phí và mật độ lưu trữ nên MRAM mới chỉ có mặt trong những thị trường đặc biệt .

MRAM của Everspin đã được dùng trong những sản phẩm mạng và lưu trữ của Dell , được cho là rất tin cậy và nhanh không  bị mất dữ liệu khi nguồn bị lỗi . Bộ nhớ MRAM cũng được dùng trong những xe ô tô đua của BMW , điều khiển máy bay Airbus A350 , hệ thống  tự động trong công nghiệp  của Siemens .

MRAM là sự thay thế tin cậy trong những sản phẩm mạng và lưu trữ khi mà mật độ lưu không cần phải được ưu tiên hàng đầu . Nó cũng đã được dùng  để thay thế trong bộ nhớ SRAM non-volatile của Dell .

MRAM hứa hẹn là công nghệ bộ nhớ có quy mô hơn và hiệu quả hơn so với DRAM và NAND Flash .

Có những kiểu bộ nhớ khác như PCM ( Phase-Change Memory ) , được Samsung và Micron phát triển , cũng được xem như là ứng cử viên thay thế cho DRAM và NAND Flash . Các nhà phân tích tin rằng nếu MRAM thay thế được DRAM thì cũng phải chờ tới cuối thập kỉ này .

Everspin cũng đưa ra mục tiêu dùng MRAM cho SSD và hiện tại họ có 300 khách hàng và 250 thiết kế dùng MRAM từ năm 2011 .